IRFH5210TRPBF

1. انخفاض خسائر التوصيل
2.يمكنات تبديد حراري أفضل
3. زيادة الموثوقية
4. زيادة كثافة الطاقة
5.متعدد البائعين التوافق
6. أسهل التصنيع
7. صديقة للبيئة
8. زيادة الموثوقية

رقم جزء الشركة المصنعة: IRFH9310TRPBF
الشركة المصنعة / العلامة التجاريةالمعدل الدولي (Infineon Technologies)
جزء من الوصف: MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
حالة خالية من الرصاص / حالة RoHS: خالية من الرصاص / متوافقة مع RoHS
حالة المخزون: جديد أصلي ، يتوفر مخزون 12000 قطعة.
الشحن من: هونج كونج
طريقة الشحن: DHL / Fedex / TNT / UPS
سمة المنتج قيمة السمة حدد السمة
رقم الجزء IRFH9310TRPBF
المُصنع / العلامة التجارية الدولية المعدل (Infineon Technologies)
كمية المخزون 12000 قطعة مخزون
فئة منتجات أشباه الموصلات المنفصلة> الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية
الوصف MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
حالة خالية من الرصاص / حالة RoHS: خالية من الرصاص / متوافقة مع RoHS
العرض - داخل -55 درجة مئوية ~ 150 درجة مئوية (TJ)
الجهد / التيار - الخرج 1 PQFN (5x6)
التسامح 5250pF @ 15V
نوع الذيل قناة P
خطوة زاوية MOSFET (أكسيد المعادن)
تقليص تقنيات درجة الحرارة Infineon
نوع SFP / XFP ± 20 فولت
القدرة عن بعد HEXFET®
الملعب - جبل سطح الكابل
الأسماء الأخرى خالية من الرصاص / متوافقة مع RoHS
أسماء أخرى 1
نوع المذبذب 8-PowerVDFN
عدد DAC's 30V
الحد الأدنى من الثقل النوعي السائل -
اتجاه التزاوج 4.6 mOhm @ 21A، 10V
رقم جزء الشركة المصنعة IRFH9310TRPBFDKR-ND
الطول - برميل Digi-Reel®
لون المصباح 4.5 فولت ، 10 فولت
الجهد الجانبي العالي - الحد الأقصى (التمهيد) 21A (Ta) ، 40A (Tc)
وظيفة 58nC @ 4.5V
قوة الملف النشطة
سعة القناة (CS (إيقاف) ، CD (إيقاف)) 3.1W (Ta)
نوع قارئ البطاقة 2.4 فولت @ 100 أمبير
الميزات والفوائد
الميزات الناتجة الفوائد
انخفاض RDSon (≤ 4.6mΩ) انخفاض خسائر التوصيل
توافق حزمة PQFN مع العديد من البائعين المتوافق مع معايير الصناعة
متوافق مع RoHS لا يحتوي على الرصاص ، ولا بروميد ولا هالوجين صديقة للبيئة
النتائج في
ملحوظة
كمية النموذج
IRFH9310TRPBF PQFN شريط 5 مم × 6 مم وبكرة 4000
رقم الجزء القابل للطلب نوع الحزمة الحزمة القياسية
VDS -30 فولت
RDS (على) كحد أقصى
(VGS = 10 فولت) 4.6 متر مكعب
Qg (نموذجي) 110 nC
RG (نموذجي) 2.8 أوم
ID
(TA = 25 درجة مئوية) -21 أ
الحد الأقصى لالتقييمات المطلقة
وحدات المعلمة
VDS استنزاف إلى مصدر الجهد
الجهد من البوابة إلى المصدر VGS
المعرف @ TA = 25 درجة مئوية تيار التصريف المستمر ، VGS @ -10V
المعرف @ TA = 70 درجة مئوية تيار التصريف المستمر ، VGS @ -10V
المعرف @ TC = 25 درجة مئوية تيار التصريف المستمر ، VGS @ -10V (السيليكون المحدود)
المعرف @ TC = 70 درجة مئوية تيار التصريف المستمر ، VGS @ -10V (السيليكون المحدود)
المعرف @ TC = 25 درجة مئوية تيار التصريف المستمر ، VGS @ -10V (الحزمة محدودة)
تيار الصرف النبضي IDM
PDTA = 25 درجة مئوية تبديد الطاقة
PD @ TA = تبديد الطاقة 70 درجة مئوية
معامل الانحراف الخطي W / ° C
مفرق التشغيل TJ و
نطاق درجة حرارة التخزين TSTG
التصنيف المتكررعرض النبضة محدود بحد أقصى.درجة حرارة الوصلة.
ابتداء من TJ = 25 درجة مئوية ، L = 1.1mH ، RG = 50Ω ، IAS = -17A.
عرض النبض ≤ 400µs ؛دورة العمل ≤ 2٪.
عند تركيبه على لوح نحاسي 1 بوصة مربعة.
يتم قياس Rθ عند TJ بحوالي 90 درجة مئوية.
للمساعدة في التصميم فقط ، لا تخضع لاختبار الإنتاج.